МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ - стр. 74


При этом каждый транзистор, безусловно, окажется во всех наи­более опасных режимах. Недостатком второго вариан­та методики является то, что испытание, во время кото­рого проходятся все возможные фазы рассогласования, нельзя вести слишком долго, так как оно сопровожда­ется выделением мощностей, значительно превосходя­щих предельно допустимые. Практика показывает, что такие испытания нельзя продолжать более 1 — 3 с. Однако при этом длительность нахождения в каждом из опасных положений будет длиться около 0,1 — 0,2 с, а это время достаточно для срабатывания в реальной аппа­ратуре защитного устройства при попадании транзисто­ра в аварийный режим.

Так как процесс испытания транзистора на устойчи­вость к рассогласованию нагрузки связан с перегрузка­ми, неизбежно возникает вопрос: не приведут ли эти испытания к изменениям деградационного характера, которые впоследствии при эксплуатации вызовут отказ транзистора? В настоящее время единственным спосо­бом убедиться в том, что это не произойдет, является многократное проведение подобных испытаний на груп­пе транзисторов. Если при этом не будет обнаружено никаких изменений в характеристиках и параметрах транзисторов, то с довольно большой степенью досто­верности можно считать, что таких изменений испыта­ния на устойчивость к рассогласованию нагрузки не вы­зывают.

Если же испытания на устойчивость к рассогласова­нию транзисторов, работающих в номинальном режи­ме, приводят к их деградационным изменениям или ка­тастрофическим отказам, то целесообразно проверить устойчивость транзисторов к рассогласованию в режи­мах со сниженным уровнем отдаваемой мощности и в результате установить тот уровень, при котором они выдерживают любой или заданный уровень рассогла­сования в течение заданного интервала времени доста­точно надежно.

Итак, при выполнении конструктивных и технологиче­ских мер, направленных на обеспечение высокой надеж­ности, а также при правильном конструировании аппа­ратуры и соблюдении правил эксплуатации, несмотря на незначительность запасов мощных ВЧ транзисторов по основным их параметрам, эти приборы будут рабо­тать в аппаратуре с достаточно высокой надежностью.




Содержание  Назад  Вперед