МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ - стр. 68


Подобное тех­нологическое испытание является чрезвычайно дорогим и сложным и применять его целесообразно только тогда, когда подтверждена его эффективность, т. е. способность действительно отбраковать по­тенциально ненадежные приборы, и когда, как было сказано ранее, расходы на его осуществление могут окупаться. Примером целесо­образности таких испытаний может быть изготовление приборов для космической аппаратуры.

Система цеховых отбраковок. Технология изготовления любых полупроводниковых приборов, в том числе мощных ВЧ транзисто­ров, предусматривает проведение системы цеховых измерений элек­трических параметров готовых транзисторов. У транзисторов изме­ряются основные статические параметры (обратные токи и пробивные напряжения переходов, статический коэффициент передачи то­ка). При измерении этих параметров устанавливаются нормы, обес­печивающие запасы по этим параметрам по сравнению с нормами технических условий. Для обеспечения надежности приборов цехо­вые нормы на обратные токи устанавливают не менее чем с 5 — 10-кратным запасом. Нормы на коэффициент передачи тока выбирают с запасом 10 — 15%. При этом определенная часть при­боров уходит в брак, поэтому запасы приходится выбирать не толь­ко с точки зрения повышения надежности, но и с учетом обеспечения приемлемого процента выхода годных. Некоторые параметры можно не проверять, так как они или определяются с достаточной точностью размерами областей и распределением концентрации при­месей в транзисторной структуре (емкости переходов), или их опре­деленное значение может быть гарантировано при условии провер­ки других параметров транзистора (сопротивление насыщения).

Измерения ВЧ параметров (выходной мощности, коэффициента усиления по мощности, коэффициентов комбинационных частот) це­лесообразно проводить только один раз, лучше всего в процессе цеховых измерений, несмотря на то, что нет возможности заложить при этом высокие технологические запасы. Причина этого заключа­ется в том, что измерения этих параметров весьма сложны и трудо­емки, и в процессе этих измерений требуется осуществ­лять настройку по входу и выходу.


Содержание  Назад  Вперед