МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ - стр. 62


Су­щественную роль в процессах стабилизации поверхности могут играть специальные термообработки с применением различных га­зовых сред.

Рис. 4.4. Слои металла, напыленные в обычной установке (а) и в установке с планетарным механизмом перемещения подложки (б)

Одна из причин, вызывающих деградационные и катастрофиче­ские отказы в мощных ВЧ транзисторах, — электромиграция. Ско­рость электромиграции сильно растет с увеличением плотности тока. В местах, где по каким-то причинам слой металлизации, по которой течет эмиттерный ток, имеет меньшую толщину, плотность тока рез­ко возрастает и скорость миграции значительно увеличивается. Та­ким местом может быть переход металлизации через ступеньку в защитном окисле. Если напыление ведется из одного источника на неподвижные пластины, то пленка будет иметь вид, показанный на рис. 4.4,а. Несколько лучший результат будет получен, если напыле­ние ведется из нескольких источников под разными углами. Однако достаточно уверенно избавиться от сильного утоньшения металли­зации при переходе через ступеньку в окисле удалось, применив для напыления специальные установки с планетарным механизмом пере­мещения подложек в процессе напыления. В этих установках за время напыления пластина оказывается под самыми разными угла­ми относительно источника, и в результате обеспечивается ее рав­номерная толщина (рис. 4.4,6).

При химическом процессе травления контактных окон в защит­ной пленке на поверхности полупроводника возможна ситуация, когда травление базовых и эмиттерных окон идет с разной скоро­стью. Кроме того, пленка под эмиттерным окном имеет меньшую толщину, чем под базовым. В результате защитная пленка в эмит-терных окнах может протравливаться сильнее, размеры окна сильно увеличатся и впоследствии возрастет вероятность закорачивания алюминия с базовой областью. Замена жидкостного химического травления сухим плазменным травлением, при котором не происхо­дит бокового подтравливания обрабатываемого защитного слоя, позволила устранить этот источник потенциальной ненадежности приборов (рис. 4.5).




Содержание  Назад  Вперед