МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ - стр. 58


Особенно значительно этот эффект проявляется, если происходит локальный перегрев транзисторной структуры до 280 — 310°С [39]. Чтобы уменьшить ве­роятность подобной деградации, следует в алюминие­вую металлизацию добавлять кремний. Это позволит уменьшить эффекты, связанные с взаимным растворе­нием алюминия и кремния. В отличие от СВЧ приборов, у мощных ВЧ транзисторов это явление наблюдается реже. В частности, это связано с тем, что в них мини­мальные размеры элементов больше и в соответствии с этим увеличивается расстояние, которое должен прой­ти алюминий до замыкания с базовой областью.

При принятии необходимых мер алюминиевая метал­лизация может считаться достаточно надежной с точ­ки зрения опасности миграции. Но существует мнение, что для исключения опасности миграции следует от алю­миния переходить к другим металлам. Так, в [44] ука­зано, что в золоте миграция в 15 раз медленнее, чем в обычных алюминиевых пленках. Однако создать ме­таллизацию мощных ВЧ транзисторов путем непосред­ственного нанесения на поверхность кремния слоя золо­та (напылением или гальваническим осаждением) нель­зя: золото реагирует с кремнием при еще более низких температурах, чем алюминий. Поэтому то, что называ­ют «золотой» металлизацией, представляет собой, по существу, двух- или трехслойную металлизацию. Напри­мер, можно использовать системы платина — хром — золото, платина — титан — золото, палладий — хром — золото и др. В этих системах первый из металлов обра­зует с кремнием силицид, что позволяет получить низко-омный контакт. Второй металл образует барьерный слой, предохраняющий золото от взаимодействия с крем­нием или лежащим на нем силицидом. Верхний слой — золото — служит для обеспечения длительного протека­ния токов без заметной миграции. Утверждается также, что если помимо перехода -к трехслойной металлизации с верхним слоем золота заменить алюминиевые внутрен­ние проволочные выводы на золотые, то можно поднять также надежность соединения проволочных выводов с металлизацией корпуса и контактными площадками на кристалле.




Содержание  Назад  Вперед