МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ - стр. 49


Пробой, происходящий в результате шнурования тока, получил название вто­ричного [8, 9, 36, 37].

Образование в работающей транзисторной структу­ре горячих пятен может быть связано с недостаточной степенью стабилизации равномерности распределения тока между отдельными эмиттерами. Причинами обра­зования горячих пятен могут быть также большой раз­брос входных сопротивлений между отдельными струк­турами на кристалле или частями одной структуры, или наличие непропаянных мест в соединении кристалла с керамическим основанием, или такого же рода дефекты между основанием и металлическим фланцем. Горячие пятна могут также возникать в местах, где исходный кремний имеет дефекты или скопление дефектов.

Остановимся теперь на причинах деградационных отказов.

Увеличение обратного тока и снижение пробивного напряжения перехода коллектор — база происходят из-за того, что на поверхность структуры в процессе изготов­ления приборов попадают примеси ионного типа (они могут оказаться на границе между кремнием и окислом, в самом защитном окисле или на его поверхности). В принципе такие примеси могут попасть на поверх­ность уже готовой структуры, если она плохо защищена (например, если произошла разгерметизация прибора). Под влиянием электрических полей, особенно если при­бор одновременно находится при повышенной темпера­туре, эти примеси могут дрейфовать. Дрейф может про­исходить таким образом, что в кремнии в коллекторной области вблизи от границы р-п перехода из-за ионного заряда (положительного), скопившегося на поверхности, будет расти число подвижных электронов, индуциро­ванных этим зарядом. В результате произойдет сниже­ние пробивного напряжения. Возможен случай, когда в результате дрейфа на поверхности структуры образует­ся канал, шунтирующий р-п переход и приводящий к росту обратного тока. Отметим, что увеличение обратного тока перехода коллектор — база IКБО может в кремниевых приборах приводить к гораздо более рез­кому увеличению обратного тока между коллектором и эмиттером IКэ0.


Содержание  Назад  Вперед