МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ - стр. 35


Как сказано ранее, существенным требованием, которому дол­жен отвечать генератор возбуждения, является низкий уровень соб­ственных комбинационных составляющих спектра. Появление их объясняется смешиванием в оконечном каскаде усилителя мощности двух сигналов: собственного усиливаемого и сигнала, поступающего через мост сложения из другого канала. Уменьшение амплитуды комбинационных составляющих достигается выбором режима сме­щения по постоянному току в каскадах усилителя и соответствую­щей корректировкой элементов настройки выходных каскадов, а так­же элементов моста сложения. Таким образом удается получить собственный уровень комбинационных составляющих не хуже минус (36 — 40) дБ.

 

Контактное устройство. Контактные устройства могут различать­ся согласующими устройствами, включаемыми на входе и выходе транзистора, как это указано в § 3.7. Пример одного из возможных вариантов контактного устройства показан на рис. 3.4. Любое по­добное контактное устройство содержит ряд обязательных эле­ментов. Прежде всего это сами контактные площадки, к которым присоединяются выводы транзистора, включенного по схеме ОЭ. Конструкция непосредственно контактной части должна обеспечи­вать минимальную индуктивность между эмиттерными выводами и шиной заземления, так как наличие этой индуктивности вызывает уменьшение коэффициента усиления по мощности.

Для охлаждения испытуемого транзистора в измерительной схе­ме используется принудительный водяной поток. Охлаждение име­ет важное значение, так как чрезмерное повышение температуры может привести к выходу прибора из строя в процессе измерения.

Каждое контактное устройство содержит элементы, с помощью которых задается режим смещения по постоянному току на испы­туемый транзистор. Последовательно с коллектором обязательно включается индуктивность, сопротивление которой на рабочей часто­те должно быть, с одной стороны, достаточно большим, чтобы обес­печить работу транзистора в режиме В (индуктивность L3 на рис. 3.4).


Содержание  Назад  Вперед