МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ - стр. 32


3.9. ОСОБЕННОСТИ АППАРАТУРЫ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

Все методы измерений электрических параметров, рассмотрен­ные в гл. 3, практически реализованы в стандартной или нестандарт­ной измерительной аппаратуре, используемой при разработке и производстве ВЧ транзисторов. Из стандартных приборов следует на­звать измеритель Л2-42, предназначенный для измерения статиче­ских параметров мощных транзисторов. В нем используется импульс­ный метод измерения статического коэффициента передачи тока h2l9, а обратные токи измеряются при подаче постоянного напря­жения.

Принципы построения измерителей, предназначенных для изме­рения |Л21Э|, Ск, Сэ, в общем достаточно ясно следуют из рас­смотрения соответствующих методов измерения и поэтому не тре­буют специального обсуждения. Общие требования к контактным устройствам достаточно подробно рассмотрены в [23]. Наиболее сложной и наименее освещенной в литературе является аппаратура, предназначенная для измерения энергетических параметров тран­зисторов.

Введение для характеристики линейных свойств мощных тран­зисторов параметров M3(Ms) привело к значительному усложнению аппаратуры, используемой обычно для измерения только К-ур и Рвых [32]. Необходимость определения одновременно всей совокуп­ности энергетических параметров, да еще при высоком уровне мощ­ности сигнала в нагрузке, выдвинуло ряд специальных требований к измерительной аппаратуре. Во-первых, для получения больших значений Рвых необходимо на вход испытуемого транзистора пода­вать сигнал также достаточно большой амплитуды. Во-вторых, для определения всей совокупности энергетических параметров входной сигнал генератора возбуждения должен обеспечивать возможность измерений как в однотоновом, так и в двухтоновом режимах. В-третьих, в измерительной установке должен содержаться источник питания UB для задания режима постоянного смещения входной цепи транзистора. В-четвертых, в измерительной установке для испытуемого транзистора должны быть обеспечены достаточно хо­рошие условия охлаждения.


Содержание  Назад  Вперед