МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ ПРИМЕНЕНИЯ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ - стр. 16


Благода­ря меньшему влиянию на энергетические характери­стики каскада паразитной индуктивности элементов в цепи истока у полевых транзисторов в сравнении с влиянием такой же индуктивности в цепи эмиттера у биполярных транзисторов здесь (см. рис. 5.9) сравни­тельно просто и без лишних энергозатрат удалось ре­шить вопрос стабилизации режима работы выходного каскада. В известной мере этому способствовало соче­тание отрицательного температурного коэффициента у тока стока полевых и положительного — у тока кол­лектора биполярных транзисторов.

Важным параметром ВЧ усилителя является его КПД. Этот параметр зависит от назначения усилителя, условий его работы и, как следствие, от схемы пост­роения и используемых полупроводниковых приборов. Он составляет 40 — 90 % для усилителей сигнала с по­стоянной или коммутируемой амплитудой (например, при частотной и фазовой модуляции, частотной и амп­литудной телеграфии) и 30 — 60 % для линейных уси­лителей сигналов с амплитудной модуляцией. Более низкие из указанных значений объясняются использо­ванием энергетически невыгодных, но обеспечивающих линейное усиление недонапряженных режимов во всех каскадах, а также режима А в предварительных, а ча­сто и в предоконечном каскаде усилителя. Более высо­кие значения характерны для ключевого режима уси­ления сигналов с постоянной или коммутируемой амп­литудой (80 — 90 %) или для амплитудно-модулирован-ных сигналов (50 — 60 %) при использовании метода раздельного усиления составляющих сигнала [60]. На­пример, КПД не ниже 80 % был получен в широкопо­лосном усилителе на 4,5 кВт с выходным каскадом на 32 транзисторах, построенном с учетом общих реко­мендаций для ключевого режима [61, 62] и при приня­тии мер по устранению сквозных токов [63]. Однако, несмотря на очевидные энергетические преимущества ключевого режима работы, он еще сравнительно редко используется в ВЧ усилителях. Это объясняется рядом особенностей, к которым, например, относятся критич­ность к изменению нагрузки, высокий уровень нежелательных колебаний, большая вероятность превышения предельно допустимых напряжений транзистора и сложность регулировки при получении необходимых фазочастотных характеристик, стабильность которых должна обеспечиваться в условиях изменяющейся на­грузки, напряжения питания и температуры окружаю­щей среды.


Содержание  Назад  Вперед