МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 9


Вообще говоря, на меньших токах у тран­зистора с постепенным входом в насыщение вход в на­сыщение также достаточно резкий. Поэтому в ряде случаев требование о резком входе в насыщение может быть переформулировано как требование о значитель­ном увеличении запаса по рабочим токам. Далее сла­бая зависимость статического коэффициента передачи тока от режима в области высоких напряжений может быть обеспечена только тогда, когда в диапазоне рабо­чих напряжений еще достаточно близок к единице ко-эффициент умножения коллектора. А это значит, что рабочие напряжения должны быть далеки от пробив­ного напряжения коллекторного перехода и от так на­зываемого граничного напряжения.

Рис. 1.2. Выходные характеристики транзисторов с резким (а) и постепенным (б) входом в насыщение

Кроме того, в транзисторах для линейных устройств следует стремиться максимально уменьшать значения ряда величин, которые могут быть источниками возни­кновения нелинейности: на входе транзистора такую роль может играть емкость эмиттерного перехода, а на выходе — коллекторного. Источником нелинейности на входе является и сама входная характеристика эмит­терного перехода. Для устранения нелинейности по вхо­ду приходится использовать режимы со смещением по постоянному току (т. е. переходить от класса В к классу АВ), а также вводить в эмиттерную цепь резисторы, позволяющие дополнительно линеаризовать входную характеристику.

Так как речь идет об обеспечении линейности ВЧ сигнала, следует стремиться к тому, чтобы и на высоких частотах коэффициент передачи тока слабо зависел от режима работы. Для выполнения этого требования нужно стремиться обеспечить максимально возможный критический ток. Под критическим током транзистора понимают значение тока коллектора, при достижении которого значение frp(|h2l3|) падает на 3 дБ (по отно­шению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор — эмиттер).

Таким образом, при конструировании мощных ВЧ транзисторов следует стремиться к обеспечению макси­мально возможного значения ряда параметров (выход­ной мощности, рабочего тока, максимально допустимой мощности рассеяния, критического тока, КПД, гранич­ной частоты, коэффициента усиления по мощности) и минимально возможных значений других параметров (напряжения насыщения, теплового сопротивления, ем­костей коллекторного и эмиттерного переходов, индук­тивности эмиттерного вывода, комбинационных состав­ляющих).


Содержание  Назад  Вперед