МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 7


Следовательно, и на высоких частотах напряжение на­сыщения транзисторов должно быть достаточно малым. Из второго условия следуют требования к целому ряду параметров мощных ВЧ транзисторов. Восполь­зуемся каким-либо из выражений для коэффициента усиления по мощности транзистора на высокой частоте. (Здесь не играет особой роли, какое из них мы выбе­рем, так как нас интересует лишь качественный харак­тер зависимостей.) Возьмем, например, выражение для Кур из [1]:

                               (1.3)

Здесь со — рабочая частота; wгр = 2пfгр (fгр — гранич­ная частота); RH — сопротивление нагрузки; rб — сопро­тивление базы; Ск — емкость коллекторного перехода; L3 — индуктивность эмиттерного вывода; Ск.а — емкость той части коллектора, через которую протекает ток из эмиттера. Это выражение выведено для условия малого сигнала. Поэтому оно может давать лишь качествен­ное представление о том, как надо менять входящие в него величины, чтобы увеличить Кур. Выражением (1.3) нельзя пользоваться для количественного опреде­ления Kур для больших сигналов.

Из (1.3) следует, что для повышения усиления мощ­ности нужно увеличивать граничную частоту fгр и уменьшать емкость коллекторного перехода, сопротив­ление базы и индуктивность эмиттерного вывода. Кро­ме того, для повышения Кур целесообразно увеличивать сопротивление нагрузки. Последнее означает, что для улучшения усилительных характеристик мощных ВЧ транзисторов нужно работать на более высоких напря­жениях. Однако повышение рабочего напряжения ведет к непропорционально резкому ухудшению таких па­раметров, как максимальный ток, сопротивление насыщения и КПД. Поэтому повышать рабочее напряжение для увеличения Кур можно, когда все остальные воз­можности использованы.

К ВЧ транзисторам, предназначенным для связной аппаратуры (это в основном линейные широкополос­ные усилители, работающие в режиме одной боковой полосы [25]), предъявляются дополнительные требо­вания. Так, следует максимально возможно уменьшать емкость коллектора и индуктивность эмиттерного вы­вода мощных ВЧ транзисторов.


Содержание  Назад  Вперед