МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 49


е. при предельно допустимой температуре, и если от корпуса осуществляется идеальный отвод тепла, т. е. его темпе­ратура равна 25°С. Иначе говоря, тепловое сопротивление прибо­ров в корпусе К.Т19 (между переходом и монтажной поверхностью фланца) не может быть сделано меньше, чем 01,6°С/Вт. Если же мы хотим работать не при предельной температуре перехода, а, скажем, на 25° ниже и если отвод тепла осуществляется путем прижатия корпуса к охлаждаемому теплоотводу, то мощность, рассеиваемая прибором в корпусе К.Т19, не превысит 190 Вт. (Тепловое сопротив­ление между этим корпусом и теплоотводом, к которому он при­жимается, не может быть меньше, чем 0,2 °С/Вт.)

Для более мощных приборов корпуса, подобные КТ19, нельзя считать перспективными, так как дальнейшее увеличение диаметров керамического основания и столика, на который оно припаивается, не позволит обеспечить в керамике безопасный уровень механиче­ских напряжений. Рассчитывать на эффективный отвод мощности около 300 — 400 Вт и выше при не слишком высоких температурах кремниевого кристалла можно, только если использовать для охлаж­дения жидкость, протекающую непосредственно над кристаллом (например, фреон), или если создавать корпуса, непосредственно охлаждаемые водой. Подобный корпус был описан в [21], где со­общается о разработке транзистора, предназначенного для работы в диапазоне 1,5 — 30 МГц, отдающего и рассеивающего мощность до 500 Вт. Охлаждение этого корпуса осуществляется потоком воды, проходящей под давлением 3 атм. мимо медных ребер, расположен­ных непосредственно под тонкой медной пластиной, на которую на­паяны прокладки из оксибериллиевой керамики со смонтированными на них кристаллами.

На практике не удается полностью использовать тепловые и электрические характеристики, которыми обладает полупроводнико­вый кристалл с созданной в нем транзисторной структурой. Следую­щим шагом в этом направлении может явиться создание гибридных интегральных схем линейных широкополосных ВЧ усилителей, куда непосредственно будут монтироваться на теплопроводящую подлож­ку кристаллы со структурами мощных ВЧ транзисторов (так назы­ваемые бескорпусные транзисторы).


Содержание  Назад  Вперед