МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 42


Говоря о требованиях к толщине маскирующих окис-ных слоев и металлических пленок на кремнии мы от­мечали, что толщину окисла надо увеличивать для улучшения качества маскировки при диффузии, а метал-

лизацию следует делать толще для уменьшения паде­ния напряжения вдоль эмиттерных токопроводящих зубцов. В то же время увеличение толщины окисла и металлизации затрудняет проведение фотолитографиче- ских операций. Например, пусть ширина эмиттерной металлизированной дорожки равна 6 мкм. Для умень- шения ее сопротивления желательно увеличивать тол-щину напыляемого металла. Однако с увеличением тол- щины металла будет расти глубина травления в боковом направлении при осуществлении фотолитографиче­ской обработки. Из рис. 2.2 видно, что после того, как толщина достигает 2 мкм, поперечное сечение практи­чески перестанет увеличиваться. Если учесть, что с ро­стом глубины травления растет еще неравномерность края, то при толщине металлического слоя свыше 2 мкм появится вероятность локального уменьшения попереч­ного сечения дорожек или даже их полного стравли­вания.

Рис. 2.2. Связь площади поперечного сечения металлизированной дорожки с ее толщиной:

а — толщина много меньше ширины; б — толщина приближается к полуширине; в — толщина больше полуширины

В последние годы получило широкое развитие на­правление работ, позволяющее и при значительной тол­щине обрабатываемых слоев сохранять их размеры. Речь идет о замене обычного жидкостного травления слоев плазмохимическим травлением. При этом прак­тически исключается подтравливание в боковом направ­лении и точность сохранения размеров может достигать ±0,1 — 0,2 мкм.

Особенностью технологии изготовления структур мощных ВЧ транзисторов является необходимость пре­дотвращения возникновения технологических дефектов. Источников возникновения дефектов очень много. Это прежде всего структурные дефекты и неоднородности в исходных эпитаксиальных пленках. Серьезными дефек­тами, возникающими в процессе окисления, являются точечные отверстия в окисле (так называемые проко­лы), посторонние твердые частицы и вырастающие вбли­зи более мелких дефектов монокристаллики кварца с острыми гранями, прокалывающие пленку резиста при проведении фотолитографии.


Содержание  Назад  Вперед