МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 4


Эти значения определяют допустимые напря­жения коллектор — эмиттер UкэR мощных ВЧ транзисторов. Так, для транзисторов, питающихся на­пряжением 12,5 В (с учетом возможных перегрузок), допустимое напряжение uksr может быть не более 30 — 40 В, для транзисторов, работающих при напряжениях питания 27 и 50 В, UкэR соответственно должно составлять 65 — 75 В и не менее НО — 120 В.

Если важно получить максимально возможную мощ­ность, отдаваемую транзистором в нагрузку, то для этого необходимо увеличивать максимальный рабочий ток. Увеличивать напряжение питания нежелательно в связи с тем, что переход к более высоковольтным транзисторам вызовет непропорционально резкое ухуд­шение других характеристик приборов.

Для транзисторов, работающих в ВЧ аппаратуре, коэффициент полезного действия (КПД) — отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляе­мой от источника коллекторного питания — ограничен и составляет от 30 — 35 (в недонапряженном режиме) до 70 — 75 % (в перенапряженном режиме). Значение КПД зависит и от свойств транзистора, и от схемы включения. Для различных схем включения КПД не может превосходить некоторого определенного значения (например, для усилителей класса В в критическом ре­жиме он не превосходит 78 %).

Ограничение по КПД является причиной того, что максимальная выходная мощность транзистора может ограничиваться не только максимально допустимыми значениями рабочего тока транзистора и перепада на­пряжений на нагрузке, но и максимально допустимой мощностью рассеяния. Если nктах — максимально до­стижимое значение КПД коллектора, а Рктах — макси­мально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, то nКmах==Рвыхmах/Рпотр==Рвых max/ (Рктах + +Рвыхmах). Здесь Рпотр — потребляемая мощность, а Рвыхтах — максимальная мощность, отдаваемая в на­грузку. Отсюда

P вых max — РК maxnK max/ (1 — nKmax).                                 (1.1)

Величина Рктах, если она не ограничивается мак­симально допустимым током и напряжением, связана с двумя тепловыми характеристиками транзистора: максимально допустимой температурой коллекторного перехода и внутренним тепловым сопротивлением меж­ду переходом и корпусом.


Содержание  Назад  Вперед