МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 38


Последняя операция — фотолитогра­фия для создания требуемого рисунка металлизации. Затем структуры, изготовленные на пластине, проверя­ют, бракуют. Пластину методом скрайбирования или с помощью резки алмазной дисковой пилой разделяют на отдельные кристаллы.

Чтобы обеспечить необходимые значения электриче­ских параметров транзисторной структуры, требуется с высокой точностью получать заданные размеры и глу­бины базовых, эмиттерных и коллекторных областей, а также заданные поверхностные концентрации и коли­чества примесей в этих областях. Возможность полу­чения заданных геометрических и электрофизических параметров структуры с жесткими допусками зависит от точности используемого оборудования и применяе­мых методов. Современные печи для окисления и диф­фузии обеспечивают во время технологических процес­сов точность задания и поддержания температуры око­ло ±1 °С. Такой допуск на температуру обеспечивает разброс (коэффициента диффузии в пределах ±3%. Разброс поверхностного сопротивления вводимых при диффузии примесей зависит от разброса температуры, но в большей степени он определяется постоянством скорости потока газа-носителя, а также равномерно­стью подходящего к поверхности кремния потока леги­рующей примеси. Различные методы диффузии, приме­няемые на практике, направлены как раз на то, чтобы повысить равномерность этого потока. Уровень совре-.менных методов диффузии позволяет обеспечить раз­брос поверхностного сопротивления легированного слоя, создаваемого в процессе диффузии, от ±5 до ±10%. (Эти цифры справедливы, когда речь идет о рассмат­риваемом классе ВЧ транзисторов. Если говорить об СВЧ транзисторах, для которых надо получать более высокие поверхностные сопротивления, то этот разброс может составлять 10 — 20%.) Такой разброс для ВЧ  транзисторов вместе с указанным ранее разбросом ко­эффициента диффузии позволяет получать заданную глубину легированного слоя с точностью 5 — 10%. Это означает, что необходимая в мощных ВЧ транзисторах j толщина активной базовой области, составляющая от 1 1 до 1,5 мкм, может быть обеспечена с точностью ±(0,1 — 0,2) мкм.


Содержание  Назад  Вперед