МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 37


В последнем случае перед второй ста­дией диффузии источник, содержащий атомы бора, уда­ляется с поверхности. Вторая стадия диффузии заклю­чается в термообработке, во время которой примеси, введенные во время первой стадии, проникают в крем­ний на большую глубину, формируя при этом базовую область прибора. Такой метод проведения диффузии в две стадии дает возможность независимо задавать глу­бину базовой области и количество вводимых в нее примесей. Он также позволяет более точно регулиро­вать поверхностную концентрацию бора. Обычно вто­рую стадию диффузии совмещают с повторным окисле­нием. Это позволяет уменьшить вероятность проникно­вения в базовую область нежелательных загрязнений.

После диффузии бора проводится фотолитографиче­ская обработка и в окисной пленке вытравливаются окна, в которых создаются эмиттерные области. Затем в эти окна осуществляется диффузия фосфора, которая также проводится в две стадии. За время первой ста­дии, проводимой, как правило, в потоке газа-носителя, на поверхности окисла и в эмиттерных окнах образует­ся пленка фосфорно-силикатного стекла (P2O5*SiO2). Перед проведением второй стадии диффузии эта плен­ка, как правило, не удаляется. В результате на поверх­ности эмиттера будет обеспечена концентрация фосфо­ра, близкая к предельной. Кроме того, наличие на по­верхности структуры пленки фосфорно-силикатного стекла способствует стабилизации ее параметров. Воз­можен вариант, когда перед второй стадией диффузии фосфора фосфорно-силикатное стекло удаляется частич­но — оно стравливается с поверхности окон, но остает­ся на пленке SiO2. Тогда вторая стадия диффузии фос­фора совмещается с окислением: в эмиттерных окнах выращивается пленка окисла, в которой затем созда­ются контактные эмиттерные окна.

Следующая после диффузии фосфора операция — фотолитография для создания контактных эмиттерных и базовых окон. Вслед за этим на поверхность напы­ляется металл, чаще всего алюминий, служащий для создания токоведущих дорожек, эмиттерных и базовых контактов и контактных площадок, служащих для при­соединения внутренних базовых и эмиттерных прово­лочных выводов.


Содержание  Назад  Вперед