МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 29


Для эмиттерного перехода эта мера не является обязательной: из рис. 1.9 видно, что для концентраций примесей 1018 ат/см3 кривизна пере­ходов даже при радиусе 0,1 мкм слабо влияет на про­бивное напряжение.

Устранение в коллекторном переходе участков гра­ниц, имеющих форму, близкую к сферической путем скругления углов, является недостаточным. При той глубине коллекторного перехода, которая необходима для уверенного получения требуемой толщины активно­го базового слоя, т. е. при Xк = 2,5 — 3,5 мкм, снижение пробивного напряжения на краях перехода, имеющих Цилиндрическую форму, будет слишком большим. Поэтому следует увеличивать глубину залегания коллек­тора. Чтобы разрешить это противоречие, было пред­ложено несколько решений. Остановимся на двух из них.

Во-первых, было предложено создавать по периферии базовой области участок р-п перехода с более глубо­ким залеганием границы (см. рис. 1.10). Этот участок получил название охранного кольца. Если под эмиттер-ным переходом коллектор залегает на глубине около 3 мкм, а глубина кольца составляет 10 мкм, то для кремния типа п с исходной концентрацией примесей 2 1015 ат/см3 пробивное напряжение планарного пере­хода может быть увеличено от 100 до 150 В (плоский переход для этого материала будет иметь пробивное напряжение около 200 В). Такое решение не всегда целесообразно, так как иногда есть причины, препят­ствующие использованию более глубоко залегающих переходов.

Во-вторых, была предложена структура, позволяю­щая получать глубокие планарные переходы с очень высоким (до 3200 В) пробивным напряжением [15]. Важно было преодолеть основное ограничение планар-ных высоковольтных переходов — снижение пробивного напряжения вблизи от поверхности из-за локального изменения концентрации носителей, связанного с за­грязнениями (на поверхности кремния или в защитном окисле). Суть этого предложения заключалась в созда­нии вокруг основного планарного перехода на неболь­шом расстоянии от него одного или нескольких кольце­вых переходов.


Содержание  Назад  Вперед