МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 28


Так, пробивное напряжение элек­тронно-дырочного перехода зависит от его фор­мы. Для плоских переходов оно определяется кон­центрацией и распределением примесей по обе стороны от перехода, а для переходов, ограниченных искривле-ной поверхностью, оно снижается по сравнению с тем, что было бы при плоском переходе (с таким же распре­делением примесей, как и в неплоском переходе в на­правлении нормали к его поверхности). Для переходов с цилиндрической формой границы в интервале концен­траций легирующих примесей в исходном кремнии 1 — 5-1015 ат/см3 пробивное напряжение при радиусе кривизны 2,5 — 3,5 мкм может снижаться в 2 — 3 раза. Еще резче снижение пробивного напряжения для пере­ходов со сферической формой границы.


Рис. 1.8. Сравнение распределения примесей в структурах с мелко и глубоко залегающими переходами (Nd — Na — суммарная концентрация примесей; х — расстояние от поверх­ности кристалла)



Рис. 1.9. Пробивное на­пряжение в зависимости от концентрации приме­сей в исходном кремнии и от радиуса кривизны переходов:

------- — для плоского пере­хода; ------ для цилиндрического          перехода; ----------------------- для сфери­ческого перехода


На рис. 1.9 приведены данные о влиянии радиуса кривизны цилиндрических и сферических переходов на пробивное напряжение в кремнии [14]. При планарных р-п переходах их граница определяется формой диф­фузионного фронта для примесей, легирующих кремний через окно в маскирующем слое двуокиси кремния.

Рис. 1.10. Кремниевый планарный транзистор с охранным кольцом: 1 — охранное кольцо; 2 — базовый контакт; 3 — эмиттер; 4 — активная база; 5 — эмиттерный контакт; 6 — окисел; 7 — коллектор; 8 — коллекторный контакт

Если окно имеет прямоугольную форму, то вдоль сто­рон прямоугольника диффузионный фронт имеет в пер­вом приближении очертания цилиндра с радиусом, рав­ным глубине перехода, а в углах фронт приближенно совпадает со сферой того же радиуса. Так как в сфери­ческих переходах пробивное напряжение падает особен­но сильно, базовым областям в структурах мощных ВЧ транзисторов придается не прямоугольная форма, а форма со скругленными углами так, чтобы вдоль всегв периметра этих областей граница перехода приближен­но могла бы считаться цилиндрической (об этом уже упоминалось ранее).


Содержание  Назад  Вперед