МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 26


Безусловное преимущество полосковых структур по сравнению с гребенчатыми заключается в том, что в по­лосковых структурах стабилизирующие резисторы со­здать проще и стабилизация в этих структурах может быть осуществлена эффективнее, чем в гребенчатых структурах.

Говоря о различных формах эмиттеров в многоэмит-терных приборах, надо упомянуть о том, что, стремясь увеличить отношение периметра к площади, разработ­чики мощных ВЧ транзисторов иногда заменяют полос-ковые эмиттеры эмиттерными областями более сложной формы: эмиттерным областям придается форма поло­сок с волнистыми краями или двухсторонних гребенок с короткими зубцами.

Остановимся на форме и размерах базовых облас­тей. У рассмотренных вариантов структур с различны­ми очертаниями и размерами эмиттеров базовые облас­ти имеют прямоугольную форму со скругленными угла­ми. Причины такого скругления мы рассмотрим немно­го дальше. Размеры базовых областей в мощных ВЧ транзисторах — это одна из характеристик, которая мо­жет быть выбрана только в результате тщательной опти­мизации. С точки зрения улучшения высокочастотных усилительных свойств площадь базовой области долж­на быть минимальной, так как она определяет коллек­торную емкость прибора. Поэтому добиваются увеличе­ния отношения периметра эмиттера к его площади (так как площадь эмиттера составляет значительный про­цент площади базовой области), доводят до минимума расстояние между отдельными эмиттерами в многоэмит­терной структуре, располагают контактные площадки эмиттера и базы вне базовой области (над телом коллектора) и увеличивают толщину диэлектрического слоя под этими площадками. Перечисленные мероприятия,, позволяющие уменьшить размеры базовых областей, — одно из основных направлений конструирования мощ­ных ВЧ транзисторов. В то же время при слишком большом увеличении площади базовой области начи­нают сказываться тепловые ограничения: с уменьше­нием площади структуры уменьшается и площадь вы­деления тепла, что приводит к росту теплового сопро­тивления транзистора.


Содержание  Назад  Вперед