МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 21


Однако ме­таллизированная гребенка не везде располагается над эмиттером, а в промежутках между отдельными эмит­терами она лежит над базовой областью, перекрывая ее. Этим и объясняется название «overlay-транзистор».

Существуют также «overlay»-тpaнзисторы с эмитте­рами, имеющими не квадратную, а кольцевую форму (рис. 1.5).

Были разработаны также транзисторные структуры,, представляющие собой как бы обращение overlay-структуры: в них эмиттер имел форму сетки, а базовые контакты находились в ячейках сетки и образовывали матрицу. Так как ячейки могли иметь меньшие разме­ры, чем эмиттерные области в overlay-структуре, то транзисторы с сетчатым эмиттером характеризовались еще большим отношением периметра эмиттера к пло­щади структуры (за счет увеличения числа ячеек).

Рис. 1.5. Мощный высокочастотный overlay-транзистор

Однако наибольшее распространение получили мно-гоэмиттерные структуры, в которых каждый эмиттер имел форму длинной полоски. Эти структуры напомияают структуры с гребенчатым эмиттером, но отлича­ются тем, что в них отсутствует общая эмиттерная об­ласть, соединяющая отдельные полоски — зубцы. Преи­мущество многоэмиттерной структуры с полосковыми эмиттерами по сравнению с обычной гребенчатой за­ключается в том, что, исключив общую эмиттерную об­ласть, можно было бы резко уменьшить площадь эмиттерного и коллекторного переходов и в результате улучшить высокочастотные параметры транзисторов. Надо, однако, иметь в виду, что полностью избавиться от области, объединяющей эмиттеры, нельзя. Ее роль переходит к общей части металлической гребенки, через которую подводится ток к отдельным эмиттерам. Эта общая часть располагалась вне эмиттерных и базовой областей, над областью коллектора. Необходимо учиты­вать, что между базовой и эмиттерной контактными площадками и телом коллектора имеется емкость, вклю­ченная параллельно емкости перехода коллектор — ба­за. Эта емкость может быть довольно значительной, однако ее можно уменьшить, если увеличить толщину диэлектрика между металлизированными площадками и коллекторной областью.


Содержание  Назад  Вперед