МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 20


Лишь когда это увеличение само по себе перестает давать эффект или становится технологиче­ски невозможным, периметр эмиттера надо увеличивать, увеличивая одновременно и его площадь. Практически этот вывод привел к тому, что одной из основных тен­денций конструирования транзисторов стало стремле­ние получать структуры с максимально возможным отношением периметра эмиттера к площади, причем для мощных ВЧ транзисторов это стремление было выраже­но особенно сильно.

Для мощных транзисторов, рассчитанных на рабо­чие частоты до 1 — 2 МГц, наиболее часто используют­ся эмиттеры с так называемой гребенчатой структурой. Иногда [5] такое решение используется и в более вы­сокочастотных транзисторах. При увеличении тока и рабочей частоты гребенчатая структура из-за ряда при­чин (в частности, в связи со снижением устойчивости ко вторичному пробою) начинает терять свои преимущества. Поэтому для мощных ВЧ транзисторов исполь­зуют структуры других типов. Как правило, эти структуры характеризуются более высоким отношени­ем периметра эмиттера к площади. Эти транзисторы с так называемой overlay (анг. «перекрывать»)-струк­турой [6]. Эта планарная структура характерна тем, что в базовой области создается не один эмиттер со сложной формой, а большое число простых по форме (квадратных) эмиттеров, образующих прямоугольную матрицу. Расстояние между соседними эмиттерами в этой структуре меньше, чем размер отдельного эмит­тера. Поэтому если рассматривать overlay-структуру с квадратными эмиттерами как гребенчатую, зубцы которой разрезаны на квадратные области, то можно считать, что в пределе overlay-структура по сравнению с гребенчатой позволяет удвоить отношение периметра эмиттера и его площади. В транзисторах с такой струк­турой базовый контакт создается так же, как и в тран­зисторах с гребенчатой структурой. Что же касается эмиттерных контактов, то они создаются к каждому эмиттеру через отверстие в покрывающей его защит­ной диэлектрической пленке, а затем все контакты объ­единяются общей металлизацией, расположенной на диэлектрической пленке и имеющей, как и в приборах с гребенчатым эмиттером, форму гребенки.


Содержание  Назад  Вперед