МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 16


С этим в первую очередь и связано то, что в мощных ВЧ транзисторах напряжение источника питания и за­висящее от него пробивное напряжение коллекторного перехода выбираются не слишком высокими. (Для про­бивного напряжения — это напряжение от 35 — 45 до 110 — 120 В.)

Концентрация примесей в коллекторной области мощных ВЧ транзисторов вблизи от коллекторного р-п перехода должна составлять для разных типов прибо­ров от 1015 до 5*1015 доноров/см3.

Рассмотрим другие электрофизические характери­стики.

Время жизни неосновных носителей заряда в эмит­терной области в связи с высокой концентрацией леги­рующей примеси (и, следовательно, диффузионная дли­на) настолько мало, что инжекция тока из эмиттера в базу в ряде случаев определяется не всей толщей эмиттерной области, а лишь ее узким слоем, непосред­ственно примыкающим к переходу эмиттер — база. Практически нет никаких способов как-нибудь регули­ровать или менять время жизни в эмиттере.

Время жизни неосновных носителей в базе также до­вольно мало (около 10~7 с). Таким значениям времени жизни соответствуют диффузионные длины в несколько микрометров (до 10). Однако, так как базовая область в мощных ВЧ транзисторах достаточно тонкая и рас­пределение примесей в базовой области таково, что к диффузии неосновных носителей заряда через базу в значительной степени добавляется дрейф, потери на перенос заряда весьма малы и приведенное значение времени жизни оказывается вполне достаточным.

Для НЧ транзисторов время жизни неосновных но­сителей заряда в коллекторе должно иметь как можно более высокое значение. Дело в том, что на участках выходных вольт-амперных характеристик, близких к об­ласти насыщения, переход коллектор — база может на­ходиться под прямым смещением. В коллектор из базы инжектируются неосновные носители заряда, которые вызовут модуляцию, т. е. резкое увеличение проводимо­сти коллекторной области. При этом сопротивление насыщения транзистора существенно снизится, а это обстоятельство для мощных транзисторов является очень важным.




Содержание  Назад  Вперед