МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 15


Согласно (1.6) коэффициент инжекции тем больше, чем меньше проводимость базовой области, т. е. чем меньше концентрация примесей в базе. Поэто­му если нужно получить по возможности более высокий коэффициент передачи тока (в ВЧ транзисторах потери на рекомбинацию в базе не имеют существенного значе­ния и определяющую роль для коэффициента переда­чи тока играет коэффициент инжекции эмиттера), то следует стремиться к уменьшению содержания приме­сей в базовой области, т. е. к уменьшению поверхност­ной концентрации базовой примеси. Однако для мощ­ных ВЧ транзисторов особо большие значения статиче­ского коэффициента передачи тока не являются необходимыми. По ряду причин следует стремиться не к уменьшению, а к увеличению содержания примесей в базе. Среди этих причин следует отметить необходи­мость уменьшения сопротивления активной базы умень­шения эффекта оттеснения тока к краю эмиттера и снижения вероятности прокола базы. Поэтому для мощ­ных ВЧ транзисторов поверхностная концентрация ба­зовой примеси является характеристикой которая должна быть оптимизирована. На практике для разных типов приборов данного класса поверхностная концен­трация базовой примеси (бора) составляет от 2*1018 до 1019 ат/см3.

Говоря о требованиях к концентрации легирующих примесей в области коллектора (т. е. в исходном мате­риале), надо прежде всего учитывать, что свойства коллекторной области определяют пробивное напряже­ние коллекторного перехода транзистора: чем меньше концентрация легирующих примесей в коллекторе тем выше будет пробивное напряжение. В то же время с уменьшением содержания легирующих примесей в коллекторе увеличивается его удельное сопротивление и, следовательно, увеличивается падение напряжения на открытом транзисторе. При этом надо учитывать то обстоятельство, что с увеличением удельного сопротив­ления коллектора падение напряжения на открытом приборе возрастает примерно по линейному закону, а пробивное напряжение растет значительно медленнее.


Содержание  Назад  Вперед