МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 14


Nd (хэ) =Wdoexp ( — x3/Ld) ,

Na (хэ) =ЛГа0ехр ( — x5/Lu) ,                                              ( 1 .5)

где хэ — глубина эмиттерного перехода; Ndo и Nao — концентрации доноров и акцепторов на поверхности структуры.

Если распределения эмиттерной и базовой легирую­щих примесей экспоненциальны, то длины Ld и La по­стоянны для всей структуры. Если же эти распределе­ния можно считать экспоненциальными только вблизи от перехода эмиттера, то выражения (1.5) несколько изменяются и Ld и Ьа будут характеризовать распреде­ление примесей только вблизи перехода. Очевидно, что La>Ld и что для того, чтобы коэффициент инжекции у был как можно ближе к единице, необходимо, чтобы Ld и La были по возможности малы. Из (1.5) видно, что чем меньше величины Ld и La, тем круче распреде­ления эмиттерной и базовой примесей.

Чтобы эти распределения были более крутыми, не­обходимо уменьшать глубины эмиттерного и коллектор­ного переходов и увеличивать поверхностную концент­рацию эмиттерной и базовой легирующих примесей.

Поверхностная концентрация эмиттерной легирую­щей примеси должна быть по возможности ближе к предельно достижимой концентрации в кремнии. Для фосфора она составляет (0,5-1) *1021 ат/см2. При та­кой поверхностной концентрации вначале проникнове­ние в кремний идет с очень высоким коэффициентом диффузии, а затем он резко уменьшается (в 10 — 30 раз). В результате концентрация примеси вначале уменьшается вглубь от поверхности очень медленно, а затем спадает особенно резко.

Концентрация базовой легирующей примеси (как правило, это бор), как следует из выражений (1.4) и (1.5), должна быть по возможности более высокой. Однако на практике этот вывод не подтверждается. Выражение (1.4), по-видимому, является не совсем верным. Так, для отношения 1р(хэ)/1п(Хэ) были полу­чены выражения, в которых эта величина была пропор­циональна:

|Iр(Xэ)/In(Xэ) | ~ (ббW/(бэLрэ),                                 (1.6)

где 0б, оэ — усредненные проводимости базовой и эмит­терной области; W — толщина базовой области; LP3 — диффузионная длина дырок в эмиттере у эмиттерного перехода.


Содержание  Назад  Вперед