МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



         

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ - стр. 11


Мощные ВЧ n-p-n транзисторы изготовляют мето­дом односторонней диффузии. В пластину исходного полупроводникового материала типа п, образующего впоследствии в транзисторной структуре тело коллекто­ра, через одну из поверхностей вводят с помощью вы­сокотемпературной диффузии акцепторные примеси, образующие у поверхности слой дырочного типа прово­димости. Граница между этим слоем и исходным ма­териалом представляет собой коллекторный р-п пере­ход. Затем через ту же поверхность осуществляется диффузия примесей типа п, компенсирующих в какой-то части структуры дырочную область и образующих эмиттерный слой п. Граница между этим слоем п и созданным до этого слоем р представляет собой эмит­терный р-п переход. В результате создается транзистор­ная n-p-n структура. Примеси типов пир вводятся не через всю поверхность пластины, а локально. В принци­пе для введения примесей можно использовать ионное легирование с последующим диффузионным перерас­пределением. Изменение концентрации легирующих примесей по направле­нию вглубь от поверх­ности полупроводнико­вой пластины после введения примесей ти­пов р и п имеет вид, показанный на рис. 1.3. Область типа п, расположенная у поверхности пластины, — это эмиттерная область. Лежащая под ней область типа р — базовая, а расположенная под ней область типа п, в которой в основном сохраняется исходная концентра­ция примесей, — это коллекторная область.

Рис. 1.3. Распределение примесей в транзисторной структуре, полученной ме­тодом односторонней диф­фузии

Структуры практически всех мощных ВЧ транзисто­ров — это планарные структуры, в которых границы коллекторного и эмиттерного переходов выходят на од­ну и ту же предварительно подготовленную плоскую поверхность полупроводниковой пластины. На рис. 1.4 изображено поперечное сечение планарной транзистор­ной структуры, позволяющее представить себе взаим­ное расположение ее различных областей. Защитные(маскирующие) слои 4 — 6 — это, как правило, пленки двуокиси кремния, полученные при термическом окис­лении.


Содержание  Назад  Вперед